今年芯片一直是大家茶饭后的热议话题，3年前，被业界誉为“芯片狂人”梁孟松被中芯国际正式邀请加入，媒体也称为“中国半导体产业进入梁孟松时代”。曾经梁孟松是半导体行业中的风云人物，在他的努力下，台积电、三星完成了蜕变，一举成为全球晶圆厂代工市场的巨头。

如今中芯国际短短一年多时间，就完成了第一代FinFET工艺，随机继续提升为第二代FinFET N+1工艺，该N+1工艺对应的就是7nm工艺技术，短短三年时间就让中芯国际迈入芯片高端市场。这位被业界誉为“芯片狂人”梁孟松在半导体领域产生了非同凡响的反应，梁孟松到底有多牛？

四十岁加入台积电，铜制程工艺的研发一战成名

梁孟松在四十岁的时候加入台积电，那时芯片发展的工艺是130nm，IBM采取铝制程工艺，将研发的新制程技术转让晶圆代工厂商赚取暴利。当芯片面临130以下的节点时候，铝制程工艺就显示出了各种不同的弊端，寻找新的材料工艺是摆在芯片行业领域最急迫的事情，铜制程工艺就成了最热的备选。

当时芯片代工有台积电和台联电，台联电看到了超越台积电的机会，欲要在130以下的铜制程工艺取代台积电，便与IBM签约为攫取晶圆代工一哥地位布局。

台积电张忠谋也意识到铜制程工艺的发展趋势，便决定抢在IBM之前完成铜制程工艺的研发，正是因为在梁孟松与蒋尚义两人的联合努力下，台积电提前一年完成研发130纳米铜制程，彻底确立了台积电在半导体行业的龙头地位。正是因为提前掌握了130那么nm铜制程工艺，该项技术为台积电带来了将近55亿元新台币营业额，从而拉开了与联电之间的差距。

梁孟松离开台积电，加入三星，再次助力三星成为晶圆代工巨头

2008年，梁孟松离开台积电以后便加入三星，再次在20nm工艺节点取得突破，助力三星打赢台积电，再次打造全球晶圆代工巨头。

加入三星后，梁孟松决定改变三星落后的局面，大胆毅然创新，毅然决定直接跳过20nm,从28nm制程升级到14nm,尽管当时很多人不同意，但梁孟松力排众议，使三星一举超过台积电16nm工艺制程，成为拥有最先进工艺技术。也正是梁孟松此举，帮助三星攻克了14纳米FinFET技术工艺，很快赢得了高通客户，让三星在半导体行业中迅速崛起。

短短几年的发展，三星已成功涅槃，成为行业巨头，台积电才意识自己准备十年的16nmFinFET已落后于三星，梁孟松相继助力台积电、三星取得了辉煌的成绩，在业界一下声名鹊起，也因此被誉为半导体行业的传奇人物。

梁孟松在中芯国际上能否续写传奇？能否为中国打造下一个“台积电”

2017年10月，梁孟松正式加入中芯国际，他能继续书写传奇经历吗？能否助力中芯国际后者居上？短短一年不到的时间，中芯国际的发展明显提速，直接从28nm完成14nm的跨越，更重要的是，14nm制程的良品率大幅度提高，在2019年就实现14nm量产。

我们知道中芯国际成立2008年，梁孟松的加入让中芯国际在一年多走完了之前十年的需要走的路，让我国半导体制造迅速崛起。

最近两年中芯国际发展迈入快车道，在去年中芯国际完成第一代FinFET工艺，年底已实现14nm芯片的量产，很快又升级为第二代FinFET N+1工艺，比第一代无论性能、功耗都取得了明显的改善，这其实就是对标台积电、三星的7nm工艺制程，很快缩短了与台积电、三星的差距，国产芯片正式加入高端市场。正因为中芯国际FinFET N+1独特工艺，从而绕过了生产7nm以下必须使用阿斯麦EUV光刻机这道坎,7nm芯片量产也即将实现。

总结：

中芯国际的快速崛起，让美国迅速感受到了压力，最近美国再次向中芯国际纳入制裁，意在阻扰我国半导体领域发展速度。今年我国半导体领域取得了前所未有的发展，南大光电在光刻胶领域破冰，掌握了生产高端光刻胶技术，8英寸石墨烯晶圆已突破，采用冰刻技术代替光刻胶也从理论变为现实，国产晶圆代工龙头也工艺制程也即将实现7nm量产。其实，我国半导体领的发展即将迎来曙光，这一切都离不开我国科技人员夜以继日的努力，尤其是在芯片供应链中关键环节，中芯国际在梁孟松带领下，能否继续为中国打造下一个“台积电”，但有点必须肯定的是，“中国芯”全面实现国产替代的脚步声已越来越近，我们拭目以待！